[发明专利]具有稳定阈值电阻转变特性的材料以及动态随机存储器件有效
| 申请号： | 201610325231.9 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105932154B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;陈达 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C01B33/113;C01B33/02 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有稳定阈值电阻转变特性的材料，其为具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜，膜的厚度为30‑80nm。一种动态随机存储器件，包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极，该阻变介质层为上述具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜。所述顶电极可以采用Cu为材料。本发明选用了COMS工艺兼容的技术来制备动态随机存储器件，制备过程主要采用了物理法沉积薄膜设备和退火设备。通过控制靶材二氧化硅和硅片的表面积比、生长时间、生长气压、电源功率、退火温度和时间等参数，达到人为控制纳米颗粒嵌入的氧化硅薄膜状态的目的，从而得到具有较低的转变电压和转变电流的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 稳定 阈值 电阻 转变 特性 材料 以及 动态 随机 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有稳定阈值电阻转变特性的材料，其特征在于，其为具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜，膜的厚度为39nm，氧化硅薄膜采用磁控溅射法在3000C下来制备，工作气压0.5Pa，功率为100W，然后经8000C退火1小时而成。
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