[发明专利]太阳能电池片的扩散工艺有效
申请号: | 201610318096.5 | 申请日: | 2015-01-12 |
公开(公告)号: | CN106024599B | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 朱金浩;蒋剑波;王猛;许布;万光耀;陈珏荣;高非;朱庆庆 | 申请(专利权)人: | 浙江光隆能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙) 33265 | 代理人: | 蔡鼎 |
地址: | 314406 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池片的扩散工艺,属于太阳能电池技术领域。它解决了现有技术中的一步扩散法的太阳能电池的转换效率普遍偏低等技术问题。本太阳能电池片的扩散工艺,该工艺包括以下步骤:A、低温沉积;B、变温沉积;C、高温沉积;D、升温;E、高温推结;F、冷却。利用本扩散工艺制作出来的太阳能电池片具有封装损耗低、太阳能电池片转化率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
【主权项】:
1.太阳能电池片的扩散工艺,该工艺包括以下步骤:A、低温沉积:将本体置入普通的扩散炉中,扩散炉中温度在780℃保持7分钟,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮的体积:大氮与氧气两者混合气体的体积=10:100;步骤A中小氮流量为2L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;B、变温沉积:将扩散炉内的温度在6—9分钟内提升至815—825℃,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,所述大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮的体积:大氮与氧气两者混合气体的体积=12:100;C、高温沉积:在815—825℃进行2—5分钟的保温,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,所述大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮的体积:大氮与氧气两者混合气体的体积比=11:100;D、升温:将10—12分钟内将扩散炉内的温度升至835℃,升温过程中向扩散炉内通入大氮;E、高温推结:待扩散炉内在835℃温度时稳定后,在10—12分钟内向扩散炉内通入大氮和氧气的混合气体,所述氧气占上述混合气体体积的32%—36%;F、冷却:在10—15分钟内将扩散炉内的温度降至790℃,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气的混合气体,所述氧气占上述混合气体体积的32%—36%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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