[发明专利]一种LED芯片保护层的制备方法以及一种LED芯片

摘要

本发明提供了一种LED芯片保护层的制备方法以及一种LED芯片，该保护层的制备方法为将已经完成台面刻蚀、透明导电层制备和PN电极蒸镀的LED芯片放入PECVD沉积腔中在其表面上进行n步沉积二氧化硅薄膜，所述n步沉积得到的相应薄膜形成二氧化硅保护层，各步沉积的薄膜的厚度相等，2≤n≤4。本发明在LED芯片的外表面上分多步进行沉积二氧化硅薄膜，在重复沉积二氧化硅薄膜的步骤中通过适当增大SiH4流量和射频功率来提高二氧化硅保护层的致密性，增加LED芯片抵抗外界机械划伤和酸碱的腐蚀；同时，改善LED芯片全反射现象，提高了出光量。

主权项

1.一种LED芯片保护层的制备方法，其特征在于，将已经完成台面刻蚀、透明导电层制备和PN电极蒸镀的LED芯片放入抽真空的PECVD沉积腔中在其表面上进行n步沉积二氧化硅薄膜，所述n步沉积得到的相应薄膜形成二氧化硅保护层，各薄膜的厚度相等，2≤n≤4，所述n步沉积包括：a)、在温度保持200～250℃的条件下，向沉积腔中通入SiH4、N2和N2O，SiH4流量Q1为400～600sccm、N2流量为400～500sccm、N2O流量为1000～1200sccm，腔体压力为850～1000mTorr，射频功率P1为50～80w，沉积20～60秒；b)、向沉积腔中通入SiH4、N2和N2O，重复沉积二氧化硅薄膜，第n步沉积时SiH4流量Qn为aQn‑1、N2流量为400～500sccm、N2O流量为1000～1200sccm，腔体压力850～1000mTorr，射频功率Pn为bPn‑1，每步沉积20～60秒；其中，1.1≤a≤1.3，1.05≤b≤1.25；c)、将上述步骤制得的LED芯片放入烘箱烘烤，在所述LED芯片表面上形成二氧化硅保护层；上述步骤中，前一步沉积完之后，间隔10～20秒再进行下一步沉积。