[发明专利]一种选择性发射极镓铟砷锑热光伏电池及其制备方法在审
申请号: | 201610308564.0 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN105990463A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 汤亮亮;许昌;陈星莺 | 申请(专利权)人: | 河海大学 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735;H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 211100 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种选择性发射极镓铟砷锑热光伏电池及其制备方法,包括液相外延制备GaInAsSb层、两步锌扩散法制备选择性发射极、蒸发法制备电极等步骤;在两步锌扩散法制备发射极的过程中,第一次锌扩散过程采用Zn‑Ga‑In合金为扩散源进行浅扩散,生成单扩散前沿锌曲线,其扩散区域95%以上锌浓度低于1019cm‑3,第二次锌扩散过程采用Zn‑As‑Sb合金为扩散源对电极区域进行深扩散,生成双扩散前沿锌曲线,其扩散区域40%以上锌浓度大于1019cm‑3;采用本发明制备出的GaInAsSb电池在500~2200nm波段范围内的平均内量子效率达90%以上,并且由于电池表层具有高度稳定的锌扩散曲线,可省略传统选择性发射极制备过程中难以控制的百纳米级的精确腐蚀过程,使得不同批次生产出的GaInAsSb电池具有高度稳定的电学输出性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 选择性 发射极 镓铟砷锑热光伏 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种选择性发射极镓铟砷锑热光伏电池的制备方法,包括以下步骤:通过液相外延制备制备GaInAsSb薄膜层;通过两步锌扩散法制备选择性发射极;通过蒸发法制备电极;其特征在于,通过两步锌扩散法制备选择性发射极的过程中,第一次锌扩散过程采用Zn‑Ga‑In合金为扩散源进行浅扩散,生成的第一扩散层(3)的锌扩散曲线为单扩散前沿型曲线,第二次锌扩散过程采用Zn‑As‑Sb合金为扩散源对上电极下方区域进行深扩散,生成的第二扩散层(5)的锌扩散曲线为双扩散前沿型曲线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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