[发明专利]多晶硅炉管沉积厚度监控装置及方法有效
| 申请号： | 201610307824.2 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105870034B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;陈宏;王卉;曹子贵;梁肖;陈广伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅炉管沉积膜厚监控装置及方法，可以在现有的三片控片监控方式下，将顶部控片、中部控片替换为表面经过退火处理后的控片，能够避免产品晶圆表面膜厚不一致的问题，同时保障控片监测数据的真实性和稳定性，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 控片 多晶硅炉 厚度监控装置 产品良率 监测数据 监控方式 监控装置 晶圆表面 退火处理 不一致 沉积膜 沉积 膜厚 替换 真实性 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅炉管沉积膜厚监控装置，其特征在于，包括：一晶舟、一片或两片顶部控片、一片或两片中部控片、一片底部控片以及若干待多晶硅沉积的产品晶圆；其中，所述晶舟顶部装载所述顶部控片，中部装载所述中部控片，底部装载所述底部控片，所述待多晶硅沉积的产品晶圆相应地填充在所述顶部控片和所述中部控片之间的晶舟装载区以及所述中部控片与所述底部控片之间的晶舟装载区中，所述顶部控片和中部控片的表面均经过退火工艺处理，所述退火工艺包括氮气退火工艺、氩气退火工艺、氦气退火工艺中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
