[发明专利]一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法有效
| 申请号： | 201610297915.2 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105970281B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 曲阳;付宏刚;井立强;孟慧媛;丁冬雪;孙宁 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/30;C30B29/62;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法，它涉及一种钒酸镉单晶纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的钒酸盐材料存在晶粒尺寸大，无规则形貌，产率低和无法生产单晶结构的问题。方法一、配制镉盐溶液；二、配制含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液；三、混合；四、将干燥后的钒酸镉单晶纳米线前驱体置于马弗炉中煅烧，得到钒酸镉单晶纳米线。本发明制备的钒酸镉单晶纳米线与现有的钒酸盐纳米材料相比，呈现单晶结构和均匀的纳米线结构，电子传输性能提高。本发明可获得一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钒酸镉单晶 纳米 简单 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法，其特征在于一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法是按以下步骤完成的：一、配制镉盐溶液：在温度为25℃～35℃和搅拌速度为100r/min～300r/min的条件下将镉盐溶解到去离子水中，得到镉离子摩尔浓度为0.1mol/L～0.5mol/L的镉盐水溶液；二、配制含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液：在温度为25℃～35℃和搅拌速度为100r/min～300r/min的条件下将偏钒酸盐和强电解质盐溶解到去离子水中，得到含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液；步骤二中所述的强电解质盐为氯化钠、氯化钾、硝酸钾、硝酸钠、氯化锂和硝酸锂中的一种或其中两种的混合物；步骤二中所述的含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液中偏钒酸根离子摩尔浓度为0.1mol/L～0.5mol/L，强电解质盐的摩尔浓度为0.01mol/L～0.1mol/L；三、混合：将步骤一得到的镉离子摩尔浓度为0.1mol/L～0.5mol/L的镉盐水溶液滴加到步骤二得到的含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液中，再在温度为25～35℃和搅拌速度为100r/min～300r/min的条件下搅拌反应1h～3h，再进行过滤，弃去滤液，得到钒酸镉单晶纳米线前驱体；将钒酸镉单晶纳米线前驱体在温度为50℃～100℃的鼓风干燥箱中烘干4h～6h，再自然冷却至室温，得到干燥后的钒酸镉单晶纳米线前驱体；步骤三中所述的步骤一得到的镉离子摩尔浓度为0.1mol/L～0.5mol/L的镉盐水溶液与步骤二得到的含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液的体积比为(0.5～1):1；四、将干燥后的钒酸镉单晶纳米线前驱体置于马弗炉中，再在温度为400℃～600℃下烧结1h～4h，得到钒酸镉单晶纳米线，即完成一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法。
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- 一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法，它涉及一种钒酸镉单晶纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的钒酸盐材料存在晶粒尺寸大，无规则形貌，产率低和无法生产单晶结构的问题。方法一、配制镉盐溶液；二、配制含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液；三、混合；四、将干燥后的钒酸镉单晶纳米线前驱体置于马弗炉中煅烧，得到钒酸镉单晶纳米线。本发明制备的钒酸镉单晶纳米线与现有的钒酸盐纳米材料相比，呈现单晶结构和均匀的纳米线结构，电子传输性能提高。本发明可获得一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法。
- 尺寸可控的铜锑硫纳米晶材料及其制备方法-201510204845.7
- 刘曰利;陈克强;陈文;周静;周鹏;王琳琳 - 武汉理工大学
- 2015-04-27 - 2018-03-16 - C30B7/14
- 本发明属于纳米材料与纳米技术领域，具体涉及一种尺寸可控的铜锑硫纳米晶材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤首先将醋酸铜和醋酸锑加入到十八烯中，再加入油酸，通入氩气保护气体，控制温度并快速搅拌使金属盐完全溶解，得到金属盐溶液；然后在上述金属盐溶液中加入1‑十二硫醇，搅拌后使其与金属离子完全络合，再加入单质硫的十八烯溶液，加热至设定温度后进行反应；反应结束后，冷却至室温，加入大量的甲醇对反应得到的铜锑硫纳米晶进行清洗，再取铜锑硫纳米晶溶解至正己烷溶液中，得到铜锑硫纳米晶的正己烷溶液。本发明通过控制十二硫醇含量、反应温度及反应时间可以制备得到不同尺寸的铜锑硫(Cu12Sb4S13)纳米晶材料。
- 一种利用太阳能从苦卤中制备空心管状碱式碳酸镁晶须的方法-201710442559.3
- 吴健松 - 岭南师范学院
- 2017-06-13 - 2018-02-13 - C30B7/14
- 本发明公开了一种利用太阳能从苦卤中制备空心管状碱式碳酸镁晶须的方法。包括如下步骤S1.过滤苦卤中的不溶物；S2.将过滤后的苦卤引入至盐田或透明容器中，于太阳光下暴晒至35～45℃；S3.向暴晒后的苦卤中加入0.2～2mol/L NaHCO3溶液，于太阳光下继续暴晒，再过滤苦卤，即可得到空心管状碱式碳酸镁晶须；步骤S3所述NaHCO3溶液与苦卤的体积比为1～21。本发明利用太阳能及晶须自洁性从苦卤中制备空心管状碱式碳酸镁晶须，操作简单，无需复杂的设备，不仅能耗低且不产生污染物和公害，可清洁环保地利用盐湖资源，得到的晶须产量高，品质优良，适用于实际生产中大规模制备镁盐晶须，具有较大的应用前景。
- 一种利用太阳能从苦卤中制备碱式碘化镁晶须的方法-201710443026.7
- 吴健松 - 岭南师范学院
- 2017-06-13 - 2018-02-13 - C30B7/14
- 本发明公开了一种利用太阳能从苦卤中制备碱式碘化镁晶须的方法。包括如下步骤S1.过滤苦卤中的不溶物；S2.将过滤后的苦卤引入至盐田或透明容器中，于太阳光下暴晒；S3.向暴晒后的苦卤中加入NaI和NaOH混合溶液，于太阳光下暴晒2～4天，再过滤苦卤，即可得到碱式碘化镁晶须。本发明利用太阳能及晶须自洁性从苦卤中制备碱式碘化镁晶须，操作简单，无需复杂的设备，不仅能耗低且不产生污染物和公害，可清洁环保地利用盐湖资源，得到的晶须产量高，品质优良，适用于实际生产中大规模制备镁盐晶须，具有较大的应用前景。
- 一种利用太阳能从苦卤中制备碱式硼酸镁晶须的方法-201710442294.7
- 吴健松 - 岭南师范学院
- 2017-06-13 - 2018-02-09 - C30B7/14
- 本发明公开了一种利用太阳能从苦卤中制备碱式硼酸镁晶须的方法。包括如下步骤S1.过滤苦卤中的不溶物；S2.将过滤后的苦卤引入至盐田或透明容器中，于太阳光下暴晒至50～60℃；S3.向暴晒后的苦卤中加入Na2B4O7和NaOH混合溶液，于太阳光下继续暴晒，过滤苦卤，得到碱式硼酸镁晶须前驱体；S4.将碱式硼酸镁晶须前驱体放入水中，升温至170～190℃，反应15～25h后干燥，即得到碱式硼酸镁晶须。本发明利用太阳能及晶须自洁性从苦卤中制备碱式硼酸镁晶须，操作简单，无需复杂的设备，不仅能耗低且不产生污染物和公害，可清洁环保地利用盐湖资源，得到的晶须产量高，品质优良，适用于实际生产中大规模制备镁盐晶须，具有较大的应用前景。
- 一种利用太阳能从苦卤中制备氧化镁晶须的方法-201710442314.0
- 吴健松 - 岭南师范学院
- 2017-06-13 - 2018-02-09 - C30B7/14
- 本发明公开了一种利用太阳能从苦卤中制备氧化镁晶须的方法。包括如下步骤S1.过滤苦卤中的不溶物；S2.将过滤后的苦卤引入至盐田或透明容器中，于太阳光下暴晒至35～45℃；S3.向暴晒后的苦卤中加入NaOH和Na2CO3混合溶液，于太阳光下暴晒2～4天，再过滤苦卤，得到含氧化镁晶须的混合物；再将混合物于400～500℃下轻烧3～5h，即得氧化镁晶须。本发明利用太阳能及晶须自洁性从苦卤中制备氧化镁晶须，操作简单，无需复杂的设备，不仅能耗低且不产生污染物和公害，可清洁环保地利用盐湖资源，得到的晶须产量高，品质优良，适用于实际生产中大规模制备镁盐晶须，具有较大的应用前景。
- 一种半水石膏单晶定向生长的控制方法-201610030658.6
- 董发勤;谭宏斌;吴传龙;何花;贺小春 - 西南科技大学
- 2016-01-18 - 2018-02-06 - C30B7/14
- 本发明公开了一种半水石膏单晶定向生长的控制方法，它是在磷石膏中加入酸度调节剂，加入水，混合均匀，陈化后，装入带冷凝回流装置的反应釜中，加入杂质稳定剂，晶面选择吸附剂，混合均匀后，进行加热反应，同时在反应体系中加上离子运动控制器，反应结束后、冷却、过滤、将固体烘干，得到形态可控的半水石膏单晶。本方法工艺简单，成本低的特点，适合工业化生产。
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