[发明专利]金属键结的发光二极管及形成金属键结发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201610297576.8 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN107346798B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 龚正;陈怡宏;梁永隆 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属键结的发光二极管，包括基板、第一接合金属层、第二接合金属层、导电氧化层以及外延层。第一接合金属层，形成于基板上。第二接合金属层形成于第一接合金属层上。导电氧化层形成于第二接合金属层上。外延层形成于导电氧化层上。本发明更包括一种形成金属键结发光二极管的方法，包括下列步骤：设置第一基板；形成第一接合金属层于第一基板上；设置第二基板；形成外延层于第二基板上；形成导电氧化层于外延层上；形成第二接合金属层于导电氧化层上；键结第一接合金属层及第二接合金属层；以及移除第二基板。 | ||
| 搜索关键词： | 金属键 发光二极管 形成 结发 二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属键结的发光二极管，其特征在于，包括：一基板；一第一接合金属层，形成于该基板上，该第一接合金属层包括：一湿润层，形成于该基板上，该湿润层包括钛或铬；一阻障层，形成于该湿润层上，该阻障层包括钯；及一导接层，形成于该阻障层上；一第二接合金属层，形成于该第一接合金属层的导接层上；一导电氧化层，形成于该第二接合金属层上；一外延层，形成于该导电氧化层上；以及一不导电氧化层，设置于该外延层及该导电氧化层之间，该不导电氧化层包括至少一接孔，该接孔连通该外延层及该导电氧化层，该接孔为一金属材料，包括金锌、金铍、铬或金。
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