[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201610293562.9 | 申请日: | 2016-05-05 |
公开(公告)号: | CN105932024B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 刘正;张治超;陈曦;张小祥;刘明悬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板,所述阵列基板被划分为多个像素单元,每个所述像素单元内均设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、设置在所述有源层上的钝化层、源极和漏极,所述钝化层上形成有贯穿所述钝化层的源极过孔、贯穿所述钝化层的漏极过孔和与所述源极过孔相连通的数据线槽,所述源极设置在所述源极过孔中,以与所述有源层相连,所述漏极设置在所述漏极过孔中,以与所述有源层相连,所述数据线设置在所述数据线槽中,以与相对应的所述源极电连接。本发明还提供一种阵列基板的制造方法和一种显示装置。本发明提供一种具有新结构的阵列基板,并且,该阵列基板的有源层不再受制造工艺的限制。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,所述阵列基板被划分为多个像素单元,每个所述像素单元内均设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、设置在所述有源层上的钝化层、源极和漏极,其特征在于,所述钝化层上形成有贯穿所述钝化层的源极过孔、贯穿所述钝化层的漏极过孔和与所述源极过孔相连通的数据线槽,所述源极设置在所述源极过孔中,以与所述有源层相连,所述漏极设置在所述漏极过孔中,以与所述有源层相连,所述数据线设置在所述数据线槽中,以与相对应的所述源极电连接,所述源极、所述漏极和所述数据线的上表面与所述钝化层的上表面平齐,所述源极、所述漏极和所述数据线是通过研磨工艺去除形成在所述钝化层上的金属材料位于所述钝化层的上表面以上的部分获得;所述阵列基板包括栅极、栅线和栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置在所述栅极所在的层和所述有源层之间,并位于所述有源层下方,所述阵列基板还包括多个数据线下保护件,所述数据线下保护件与所述有源层同层设置,每条所述数据线对应一个所述数据线下保护件,且所述数据线下保护件位于相对应的数据线的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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