[发明专利]一种四元芯片的GaP粗糙表面的制备方法有效
| 申请号： | 201610274404.9 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105895750B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈康;李晓明;申加兵;刘琦 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种四元芯片的GaP粗糙表面的制备方法，包括对所述GaP表面依次进行喷砂粗化处理和湿法腐蚀处理，以获得GaP粗糙出光表面，GaP粗糙出光表面的粗糙度范围：0.5μm＜Ra＜2μm。本发明通过对GaP表面进行喷砂处理得到有空洞、缺陷的GaP表面，再通过常规的化学腐蚀方法对GaP表面进行粗化，解决了GaP不易腐蚀的难题，得到了更稳定的GaP粗糙出光面，提升了四元芯片的出光效率。该方法操作简单，易进行规模化生产，更好的提升了芯片的品质，稳定了芯片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 gap 粗糙 表面 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种四元芯片的GaP粗糙表面的制备方法，其特征在于，该方法包括对所述GaP表面依次进行喷砂粗化处理和湿法腐蚀处理，以获得GaP粗糙出光表面，GaP粗糙出光表面的粗糙度范围：0.5μm＜Ra＜2μm；所述喷砂粗化处理中使用的砂砾为：直径为12500目‑15000目的碳化硅颗粒；对所述GaP表面喷砂粗化5‑20分钟，喷砂法线与所述GaP表面的夹角为70‑90°，喷砂速度0.125‑0.5cm/分钟，喷砂砂砾密度为0.5‑2g/cm2。
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