[发明专利]用于金属注入的离子源及其方法在审

专利信息
申请号: 201610270946.9 申请日: 2016-04-27
公开(公告)号: CN106098521A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: E·韦尔特斯彻;P·祖潘;W·舒斯特德;M·杰里纳克;R·埃伯维恩;F·科勒纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;张昊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 本公开涉及用于金属注入的离子源及其方法,具体地,用于注入机的离子源包括设置在离子源室中的第一固态源电极。第一固态源电极包括耦合至第一负电位节点的源材料。第二固态源电极设置在离子源室中。第二固态源电极包括耦合至第二负电位节点的源材料,并且第一固态源电极和第二固态源电极被配置为产生通过注入机注入的离子。
搜索关键词: 用于 金属 注入 离子源 及其 方法
【主权项】:
一种用于注入机的离子源,所述离子源包括:第一固态源电极,设置在离子源室中,所述第一固态源电极包括耦合至第一负电位节点的源材料;以及第二固态源电极,设置在所述离子源室中,其中所述第二固态源电极包括耦合至第二负电位节点的源材料,并且其中所述第一固态源电极和所述第二固态源电极被配置为产生将由所述注入机注入的离子。
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