[发明专利]一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法有效
| 申请号： | 201610252163.8 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107305593B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 陈静;黄建强;罗杰馨;柴展;吕凯;何伟伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法，包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，其电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，其电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOI MOSFET总剂量辐照模型。本发明的SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法可同时仿真NMOS和PMOS，可以仿真阈值电压的漂移，还可仿真各个尺寸、各个辐射剂量的MOSFET特性，大大提高仿真准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi mosfet 剂量 辐照 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法，其特征在于，所述SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法至少包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，所述受控电流源的电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，所述受控电压源的电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOI MOSFET总剂量辐照模型。
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