[发明专利]PMOS功率电晶体线性降压稳压电路有效
| 申请号： | 201610250013.3 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107305399B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王士伟;张志健;杨翔安 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种PMOS功率电晶体线性降压稳压电路，包含有一PMOS功率电晶体、一回授网路、一误差放大器、以及一主动抑制电源涟波杂讯单元。PMOS功率电晶体，其第一端耦接一输入电压，其第二端耦接一负载。回授网路耦接PMOS电晶体的第二端；误差放大器接收回授网路产生的回授讯号，比较回授讯号与一参考电压产生一差值，将差值放大产生一误差讯号。主动抑制电源涟波杂讯单元，一端耦接PMOS功率电晶体的第一端，另一端耦接PMOS功率电晶体的控制端与误差放大器；侦测PMOS功率电晶体的该第一端的输入电压，依据输入电压的变化对应调整控制端的电压以稳定控制端与第一端之间的电压。 | ||
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【主权项】：
1.一种PMOS功率晶体管线性降压稳压电路，包含有：一PMOS功率晶体管，具有一第一端、一第二端、及一控制端，该第一端耦接一输入电压，且该第二端耦接一负载；一回授网路，耦接该PMOS晶体管的该第二端；一误差放大器，接收该回授网路产生的回授讯号，比较该回授讯号与一参考电压产生一差值，将该差值放大产生一误差讯号；以及一主动抑制电源涟波杂讯单元，其一端耦接该PMOS功率晶体管的该第一端，另一端耦接该PMOS功率晶体管的该控制端与该误差放大器；该主动抑制电源涟波杂讯单元侦测该PMOS功率晶体管的该第一端的该输入电压，并依据该输入电压的变化对应调整该控制端的电压以稳定该控制端与该第一端之间的电压；其中该输入电压包含一杂讯，且该主动抑制电源涟波杂讯单元将该杂讯的等效电压差反映在该PMOS功率晶体管的该控制端，以确保该PMOS功率晶体管的该控制端的电压不因该输入电压的杂讯而变动。
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