[发明专利]一种深硅刻蚀工艺和深硅刻蚀设备在审
| 申请号： | 201610245519.5 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107305836A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深硅刻蚀工艺和深硅刻蚀设备，涉及半导体技术领域，解决了深硅刻蚀过程中单个循环单元的持续时间长，刻蚀形成的沟槽的侧壁的粗糙度大的技术问题。该深硅刻蚀工艺包括多次重复进行的单个循环单元，所述单个循环单元包括一个沉积步骤和一个刻蚀步骤；在该深硅刻蚀工艺中，通过恒定功率射频电源输出沉积步骤的沉积功率P1；通过脉冲射频电源输出脉冲功率P2，刻蚀步骤的刻蚀功率为P3，其中，P2＝P3‑P1；脉冲射频电源的脉冲频率为f，占空比为D，单个循环单元的持续时间t等于沉积步骤的持续时间t1和刻蚀步骤的持续时间t2之和，其中，f＝1/t，D＝t2/t1。本发明用于进行深硅刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 设备 | ||
【主权项】：
一种深硅刻蚀工艺，包括多次重复进行的单个循环单元，所述单个循环单元包括一个沉积步骤和一个刻蚀步骤；其特征在于，通过恒定功率射频电源输出所述沉积步骤的沉积功率P1；通过脉冲射频电源输出脉冲功率P2，所述刻蚀步骤的刻蚀功率为P3，其中，P2＝P3‑P1；所述脉冲射频电源的脉冲频率为f，占空比为D，所述单个循环单元的持续时间t等于所述沉积步骤的持续时间t1和所述刻蚀步骤的持续时间t2之和，其中，f＝1/t，D＝t2/t1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
