[发明专利]一种高精度、输出电压可调的参考电压产生电路有效

专利信息
申请号: 201610240697.9 申请日: 2016-04-18
公开(公告)号: CN105867517B 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 陈珍海;张甘英;魏敬和;于宗光 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 代理人: 杨立秋
地址: 214035 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种高精度、输出电压可调的参考电压产生电路,包括输出可调、电流求和型带隙基准电压产生电路、输出可调、电流求和型差分参考电压产生电路和参考电压缓冲驱动电路,输出可调、电流求和型带隙基准电压产生电路产生带隙基准电压Vref输出,通过输出可调、电流求和型差分参考电压产生电路产生差分参考电压VTP、VTN输出,通过参考电压缓冲驱动电路输出参考电压Vrefp、Vrefn。本发明通过电流求和以及浮动电流源负反馈控制技术设计了一种输出电压可调的全差分参考电压缓冲驱动电路,该缓冲驱动电路还采用源极推挽输出和复制电路的结构,在进一步提高参考电压的PSRR的同时,得到更小的输出阻抗,具有更好的驱动能力。
搜索关键词: 一种 高精度 输出 电压 可调 参考 产生 电路
【主权项】:
一种高精度、输出电压可调的参考电压产生电路,其特征在于:所述参考电压产生电路包括输出可调、电流求和型带隙基准电压产生电路(21)、输出可调、电流求和型差分参考电压产生电路(22)和参考电压缓冲驱动电路(23),所述输出可调、电流求和型带隙基准电压产生电路(21)产生一个电压可调的带隙基准电压Vref输出至输出可调、电流求和型差分参考电压产生电路(22),通过输出可调、电流求和型差分参考电压产生电路(22)产生差分参考电压VTP和VTN输出至参考电压缓冲驱动电路(23),通过参考电压缓冲驱动电路(23)输出参考电压Vrefp、Vrefn,所述输出可调、电流求和型差分参考电压产生电路(22)包括第一和第二R1电阻,第一和第二R2电阻,第一和第二R3电阻,第一和第二R4电阻,第一和第二R5电阻,第一电流源Iup和第二电流源Idw,第一运算放大器A1,第二运算放大器A2,第三运算放大器A3,第一NMOS管MNO1,第三NMOS管MN3,第四NMOS管MN4,第一PMOS管MPO1和浮动电流控制电路221,第一R1电阻的上端连接到电源电压,第一R1电阻的下端连接到第二R1电阻的上端,还连接到第一运算放大器A1的正输入端;第二R1电阻的下端连接到第一R2电阻和第一R3电阻的上端,还连接到第二运算放大器A2的正输入端和正输出电压端口VTP以及第一电流源Iup的下端,第二R1电阻的下端还连接到第一NMOS管MNO1的源端和第四NMOS管MN4的漏端;第一R2电阻的下端连接到和第二R2电阻的上端和第二运算放大器A2的负输入端;第二R2电阻的下端接地;第一R3电阻的下端连接到和第二R3电阻的上端和第三运算放大器A3的负输入端;第二R3电阻的下端连接到第二R5电阻和第二R4电阻的下端,还连接到负输出电压端口VTN以及第二电流源Idw的上端,第二R3电阻的下端还连接到第一PMOS管MPO1的漏端和第四NMOS管MN4的源端;第一R4电阻的上端连接到电源电压,第一R4电阻的下端连接到第二R4电阻的上端;第一R5电阻的上端连接到输出可调、电流求和型带隙基准电压产生电路21产生一个电压可调的带隙基准电压Vref,第一R5电阻的下端连接到第二R5电阻的上端;第一电流源Iup的上端接电源电压;第二电流源Idw的下端接地;第一运算放大器A1的负输入端连接到第三NMOS管MN3的源端和第一NMOS管MNO1的漏端,第一运算放大器A1的输出端连接到第三NMOS管MN3的栅端;第三NMOS管MN3的漏端接电源电压;第二运算放大器A2的输出端连接到第一NMOS管MNO1的栅端;第三运算放大器A3的正输入端接外部输入共模电压VCM,第三运算放大器A3的输出端接第一PMOS管MPO1的栅端;第一PMOS管MPO1的漏端接地;第四NMOS管MN4的栅端接浮动电流控制电路221的输出端。
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