[发明专利]一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器

摘要

本发明公开了一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器，自上而下为：顶栅/铁电层/沟道层/底栅氧化层/底栅。该非易失性存储器通过在结构上进行“编程/擦除”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口及可靠性能。

主权项

1.一种双栅结构的铁电型InGaZnO非易失性存储器，其特征在于：包括衬底、设在衬底上的底栅，设在衬底上并且覆盖底栅的底栅氧化层，设在底栅氧化层上的InGaZnO沟道层，设在InGaZnO沟道层上相对两侧的源极、漏极，设在InGaZnO沟道层上以及源极、漏极上的铁电层，设置在铁电层上的顶栅，所述顶栅位于底栅的正上方；所述底栅氧化层的等效氧化层厚度T_BOX、InGaZnO沟道层的等效氧化层厚度T_IGZO以及铁电层的等效氧化层厚度T_TOX满足：3>T_BOX/(T_TOX+T_IGZO)>1；对所述顶栅施加电压来实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，对所述底栅施加电压来实现非易失性存储器的“读”操作。