[发明专利]一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法在审
| 申请号： | 201610232477.1 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105680315A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李强;尹兴良;雷訇;惠勇凌;姜梦华 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S3/115 | 分类号： | H01S3/115 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法，属于激光器制造领域。该方法采用z切割、加纵向电场的方形KD*P晶体作为电光开关。该结构的KD*P晶体与传统圆柱状结构的KD*P晶体相比，由于晶体内部温度场梯度发生变化，降低了由剪切应力引起的双折射，并使其折射率椭球变形程度小于传统圆柱状结构的KD*P晶体，从而使该特殊结构的KD*P晶体热退偏小于圆柱形KD*P晶体，改善了电光晶体的开关特性，提高了电光调Q激光器的平均输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电光 激光器 平均 输出功率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法，其特征在于，该方法采用z切割、加纵向电场的方形KD*P晶体作为电光开关；实施该方法的装置包括全反镜(1)、半导体激光脉冲泵浦模块(2)、Nd:YAG晶体(3)、起偏器(4)、电光开关(5)、输出耦合镜(6)；全反镜(1)、半导体激光脉冲泵浦模块(2)、Nd:YAG晶体(3)、起偏器(4)、电光开关(5)、输出耦合镜(6)依次相连，最终经输出耦合镜(6)进行输出激光(7)；其中，作为电光开关的KD*P晶体置于起偏器(4)和输出耦合镜(6)之间，并且紧靠输出耦合镜(6)；该结构的KD*P晶体与传统圆柱状结构的KD*P晶体相比，由于晶体内部温度场梯度发生变化，降低了由剪切应力引起的双折射，并使其折射率椭球变形程度小于传统圆柱状结构的KD*P晶体，从而使该特殊结构的KD*P晶体热退偏小于圆柱形KD*P晶体，改善了电光晶体的开关特性，提高了电光调Q激光器的平均输出功率。
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