[发明专利]一种铌酸锂单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201610223525.0 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105839178B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 徐国忠;王斌;仇如成 | 申请（专利权）人： | 盐城市振弘电子材料厂 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铌酸锂单晶的制备方法，它包括以下步骤：(a)将氧化铌和碳酸锂按质量比为79.1～79.2∶20.8～20.9进行混合，加水后压成块状混合物；(b)将块状混合物加入第一加热炉中，以8～10℃/分钟的速度将加热炉由室温升温至1150℃，保温1.5～2小时得初产品；(c)将所述初产品加入坩埚中，置于第二加热炉中，调整籽晶杆使其与坩埚同心，加热使其熔化，随后降温至1330～1350℃，调节所述籽晶杆的转速为8～15转/分钟，并将其下端的籽晶降至熔融液中接种引晶，当晶种直径扩张至20～30mm时，以4～6mm/小时的速度向上提拉，进行生长。通过精确控制其原料比例、工艺步骤和升温方式等，能够制得纯度高、成分均匀的近化学计量比铌酸锂晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸锂单晶的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：(a)将氧化铌和碳酸锂按质量比为79.187∶20.813进行混合，加水后压成块状混合物；(b)将块状混合物加入第一加热炉中，以9℃/分钟的速度将加热炉由室温升温至1150℃，保温1.8小时得初产品；(c)将所述初产品加入坩埚中，置于第二加热炉中，调整籽晶杆使其与坩埚同心，加热使其熔化，随后降温至1340℃，调节所述籽晶杆的转速为10转/分钟，并将其下端的籽晶降至熔融液中接种引晶，当晶种直径扩张至25mm时，以5mm/小时的速度向上提拉，进行生长；(d)将步骤(c)得到的晶体以100℃/小时的速度升温至800℃，保温10小时；再以60℃/小时的速度升温至1150℃，保温10小时，同时对晶体通电，待无极化电流时停止通电，通电电流为0.25mA/cm2×晶体长度×晶体直径；以100℃/小时的速度降温至200℃，保温10小时后自然冷却至室温。
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