[发明专利]晶圆转换装置及其晶圆转换方法有效
申请号: | 201610220193.0 | 申请日: | 2016-04-11 |
公开(公告)号: | CN106098603B | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 林塘棋;李德浩;施英汝;徐文庆 | 申请(专利权)人: | 环球晶圆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶圆转换装置,可供一第一承载架及一第二承载架放置,该第一承载架形成有多个上下相间隔排列的第一容置槽,各该第一容置槽用以容置一晶圆,该第二承载架形成有多个上下相间隔排列的第二容置槽,所述第一容置槽的数量与所述第二容置槽的数量不同,该晶圆转换装置包含一基座、一第一定位架、一第二定位架、一高度调整机构,及一顶推机构。该第一承载架及该第二承载架分别放置于该第一、第二定位架,该高度调整机构可带动该第一承载架在一第一高度位置及一第二高度位置间转换,再借由该顶推机构将第一承载架中的晶圆推送至该第二承载架中。 | ||
搜索关键词: | 转换 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆转换装置,可供一第一承载架及一第二承载架放置,该第一承载架形成有多个上下相间隔排列的第一容置槽,各该第一容置槽用以容置一晶圆,该第二承载架形成有多个上下相间隔排列的第二容置槽,所述第一容置槽的数量与所述第二容置槽的数量不同,其特征在于,该晶圆转换装置包含:一基座;一第一定位架,设置于该基座,该第一定位架包括一前端,及一相反于该前端的后端;一第二定位架,设置于该基座且位于该第一定位架的该后端,该第二定位架用以承载并定位该第二承载架;一高度调整机构,设置于该第一定位架,该高度调整机构用以承载该第一承载架并可将该第一承载架由一第一高度位置调整至一高度高于该第一高度位置的第二高度位置,当该第一承载架在该第一高度位置时,所述第一容置槽与所述第二容置槽其中之一的全部容置槽与其中另一的一部分容置槽位置相互对齐,当该第一承载架在该第二高度位置时,所述第一容置槽与所述第二容置槽其中之一的全部容置槽与其中另一的另一部分容置槽位置相互对齐;及一顶推机构,可滑动地设置于该基座且位于该第一定位架的该前端,该顶推机构可沿一由前朝后的顶推方向移动,用以将与所述第二容置槽位置相互对齐的所述第一容置槽中的所述晶圆由所述第一容置槽顶推至所述第二容置槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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