[发明专利]静电放电保护装置、存储器元件及静电放电保护方法

摘要

本发明公开了一种静电放电保护装置、存储器元件及静电放电保护方法。此静电放电保护装置包括：半导体基材、第一栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区。半导体基材包括一个具有第一电性的掺杂阱区，且其一端接地。第一栅极结构，位于掺杂阱区之上。第一掺杂区具有第二电性位于掺杂阱区之中，邻接第一栅极结构，且与焊垫电性连接。第二掺杂区具有该第二电性，位于掺杂阱区之中，且邻接第一栅极结构。第三掺杂区具有第一电性，位于掺杂阱区之中，且与第二掺杂区形成P/N结。其中，第二掺杂区和第三掺杂区分别具有大于掺杂阱区的掺杂浓度。

主权项

一种静电放电保护装置，包括：一半导体基材，包括一掺杂阱区，该掺杂阱区具有一第一电性，且一端接地；一第一栅极结构，位于该掺杂阱区之上；一第一掺杂区，具有一第二电性，位于该掺杂阱区之中，邻接该第一栅极结构，且与一焊垫电性连接；一第二掺杂区，具有该第二电性，位于该掺杂阱区之中，且邻接该第一栅极结构；以及一第三掺杂区，具有该第一电性，位于该掺杂阱区之中，且与该第二掺杂区形成一P/N结，其中该第二掺杂区和该第三掺杂区分别具有大于该掺杂阱区的掺杂浓度。