[发明专利]隔离型同步整流控制电路的同步整流芯片保护方法和同步整流芯片在审
| 申请号： | 201610191970.3 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105680707A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 宗强;吴寿化;刘准;管磊;殷忠 | 申请（专利权）人： | 无锡市芯茂微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/04 | 分类号： | H02M7/04;H02M1/32 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214131 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种隔离型同步整流控制电路的同步整流芯片保护方法，包括：同步整流芯片中设置一个同步整流芯片最大导通时间Tmax；在同步整流芯片中的同步整流管Q103导通后，如果超过了设定的最大导通时间Tmax，检测到的同步整流管Q103中的电流仍然没有变为零，则通过一个最大导通时间产生电路产生一个最大导通时间信号Toff的脉冲，通知驱动逻辑电路，通过驱动逻辑电路去关断同步整流管Q103。本发明的优点在于：能够避免同步整流芯片GND端会出现的负向尖峰脉冲，防止同步整流芯片被烧毁，提高了同步整流芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 同步 整流 控制电路 芯片 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种隔离型同步整流控制电路的同步整流芯片，其特征在于，包括：最大导通时间产生电路(101)、逻辑驱动电路(102)、同步整流管Q103、同步整流管Q103为含体二极管D104的NMOS管；同步整流管Q103的源极接体二极管D103的阳极作为同步整流芯片(301)的GND端；同步整流管Q103的漏极接体二极管D103的阴极作为同步整流芯片(301)的SW端；最大导通时间产生电路(101)用于产生一个最大导通时间信号Toff，并传至逻辑驱动电路(102)；逻辑驱动电路(102)用于输出同步整流管Q103的控制信号DRV，控制信号DRV接至同步整流管Q103的栅极。
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