[发明专利]基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器有效
| 申请号： | 201610191712.5 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105680319B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 汪丽杰;佟存柱;田思聪;舒世立;吴昊;戎佳敏;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/323 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙) 22210 | 代理人： | 刘慧宇 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，属于光电子技术领域，为了克服现有技术的不足，基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导、有源区、P型波导、P型包层、P型盖层和P面电极；N型波导、有源区和P型波导组成激光器的波导层，波导层的折射率大于N型包层和P型包层的折射率，其特征是，在该半导体激光器台面上刻有多个微孔，所述多个微孔设置在两边相应于高阶侧模光场分布的波峰处，微孔的数量从中心到边缘递增；微孔深度从P面电极的表面至P型包层，且微孔的底部与P型包层下表面距离小于激光器波导层的倏逝波长度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 模式 增益 损耗 调控 亮度 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极(10)、衬底(1)、缓冲层(2)、N型包层(3)、N型波导(4)、有源区(5)、P型波导(6)、P型包层(7)、P型盖层(8)和P面电极(9)；N型波导(4)、有源区(5)和P型波导(6)组成激光器的波导层(12)，波导层(12)的折射率大于N型包层(3)和P型包层(7)的折射率，其特征是，在该半导体激光器台面上刻有多个微孔(11)，所述多个微孔(11)设置在两边相应于高阶侧模光场分布的波峰处，微孔(11)的数量从中心到边缘递增；微孔(11)深度从P面电极(9)的表面至P型包层(7)，且微孔(11)的底部与P型包层(7)下表面距离小于激光器波导层(12)的倏逝波长度。
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