[发明专利]一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法有效
| 申请号： | 201610181430.7 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105843001B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘天建;王华 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，将有机溶剂去除和低温氧化工艺去除相结合，并且采用有机溶剂先去除基底表面和深孔中较易溶于有机溶剂中的光刻涂层，对于深孔中残留的光刻涂层再采用低温氧化工艺去除；有效克服了有机溶剂去除不彻底和低温氧化工艺去除速度慢、能力不强的缺陷；在不损伤含碳多孔材料基底的同时，增大光刻涂层的去除能力，将光刻涂层完全去除干净，并且保证了含碳多孔材料基底的孔状结构的结构性能和电学性能，为后续的工艺处理提供方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多孔 材料 基底 光刻 涂层 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，采用有机溶剂去除基底表面和深孔中的光刻涂层；步骤2，采用低温氧化工艺进一步去除深孔中残留的光刻涂层；其中，所述光刻涂层包括光刻胶涂层和抗反射涂层。
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