[发明专利]三参数韦伯分布处理闪络电压分析绝缘材料性能的方法

摘要

本发明公开了一种三参数韦伯分布处理闪络电压分析绝缘材料性能的方法，包括以下步骤采集n个闪络电压，按升序排列组建电压向量U，并赋予失效序数；建立三参数韦伯分布闪络电压概率模型；计算各失效序数下的闪络电压对应的累积闪络概率；拟合所述三参数韦伯分布闪络电压概率模型中的尺度参数、形状参数和位置参数；使用所述三参数韦伯分布闪络电压概率模型分析绝缘材料的性能。它采用三参数的韦伯分布处理闪络电压数据，计算闪络概率，与两参数相比更接近现实，拟合效果更好，准确度更高。并且在求取累计闪络概率时，利用失效等级概念，采用中位秩公式对失效等级进行修正，避免了因样本数量不足引起的结果偏差。并且计算简洁，运算速度快。可用于闪络电压预测，根据闪络概率要求确定绝缘设计标准。

主权项

一种三参数韦伯分布处理闪络电压分析绝缘材料性能的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：采集n个闪络电压，按升序排列组建电压向量U＝{ui},n≥i≥1，i为失效序数，表示ui在闪络电压样本数据中的排序；若2个以上闪络电压样本数据相等，则赋予它们相同的失效序数；步骤2：建立三参数韦伯分布闪络电压概率模型：F(x)=1-exp[-(x-γα)β]---(1)]]>其中，F(x)表示闪络电压为x时的累积闪络概率；α、β和γ分别为尺度参数、形状参数和位置参数；步骤3：计算各失效序数为i的闪络电压对应的累积闪络概率F(ui)，其计算方法为：F(ui)=i-0.3n+0.4---(2)]]>步骤4：用(ui,F(ui))数据对拟合所述三参数韦伯分布闪络电压概率模型中的尺度参数α、形状参数β和位置参数γ；步骤5：使用所述三参数韦伯分布闪络电压概率模型分析绝缘材料的性能。