[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法

摘要

本发明实施例提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法。该方法包括在硅衬底的表面上依次生长GaN介质层、AlGaN介质层和HfO2介质层；对HfO2介质层进行刻蚀；在露出的AlGaN介质层和剩余的HfO2介质层上表面沉积第一金属层；沿着露出的HfO2介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀；在栅极接触孔中沉积第二金属层作为栅介质。本发明实施例在氮化铝镓AlGaN介质层上表面铺设氧化铪HfO2介质层，利用AlGaN介质层和HfO2介质层介电常数的差距，有效地从半导体表面传输或提取电通量，缓解器件失效，从而减小了逆压电效应。

主权项

一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底的表面上依次生长氮化镓GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层和氧化铪HfO2介质层；对所述HfO2介质层的第一区域和第二区域进行刻蚀，以露出所述第一区域和所述第二区域分别对应的AlGaN介质层上表面；在露出的所述AlGaN介质层和剩余的所述HfO2介质层上表面沉积第一金属层；对所述第一金属层进行光刻、刻蚀，以露出所述HfO2介质层并形成欧姆接触电极；沿着露出的所述HfO2介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀，直到刻蚀掉部分的所述AlGaN介质层，被刻蚀掉的所述HfO2介质层和部分所述AlGaN介质层形成栅极接触孔；在所述栅极接触孔的表面、剩余的所述HfO2介质层和所述欧姆接触电极上表面生长第二金属层，并对所述第二金属层进行光刻、刻蚀形成栅极，以完成GaN HFET的制作。