[发明专利]发光二极管阵列

摘要

本发明公开一种发光二极管阵列，该发光二极管阵列由N个(N≧3)发光二极管单元所组成，包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第二导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第二导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上；第一分隔层位于跨接金属层之上；导电性连接层位于第一分隔层之上；外延结构位于导电性连接层之上；第一电极位于外延结构之上。发光二极管单元间经跨接金属层彼此电性连接。

主权项

1.一种发光二极管结构，包含：可导电基板；第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，依序堆栈于该可导电基板上；金属层，设于该可导电基板与该第一导电型半导体层之间，且该金属层包含多个第一部分及连接这些第一部分的第二部分，其中各该第一部分穿过该第一导电型半导体层及该活性层而与该第二导电型半导体层连接，该第二部分位于该第一导电型半导体层与该可导电基板之间，且该金属层分别与该第一导电型半导体层及该活性层电性绝缘；导电性连接层，位于该第一导电型半导体层与该可导电基板之间，且该导电性连接层与该第一导电型半导体层电性连接；粘结层，设于该可导电基板与该第一导电型半导体层之间，该可导电基板透过该粘结层与该金属层电性连接；电极，设于该导电性连接层面向第一导电型半导体层的表面上，并透过该导电性连接层与该第一导电型半导体层电性连接；及第一分隔层，设于该导电性连接层与该第二部分之间。