[发明专利]一种快速退火制备Al-Si+欧姆接触的方法

摘要

本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术高效制备Al-Si⁺欧姆接触电极的方法，属于半导体材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术，以Ar气为工作气体，在真空度为3.0×10^-4Pa时，首先采用射频溅射技术于一定温度条件下生长一定厚度Al薄膜，然后利用快速退火炉对Al薄膜进行快速退火处理获得Al-Si⁺欧姆接触电极。该方法提高了制备Al-Si⁺欧姆接触电极的速度，而且克服了真空蒸镀方法和电子束蒸发方法中生只能溅射低熔点、高蒸汽压的元素和化合物，而且溅射薄膜与基片之间的附着性差，溅射薄膜密度低的缺点,获得的Al-Si⁺欧姆接触电极具有薄膜纯度高，镀膜易于控制，沉积速率快，镀膜面积大，线性接触良好及稳定等优点，且设备简单、使用和维护成本低。因而该方法是一种简单高效、易于产业化推广的Al-Si⁺欧姆接触电极制备方法。

主权项

一种磁控溅射联合快速退火技术制备Al‑Si⁺欧姆接触电极的方法，其特征在于：采用单面抛光低掺杂N型单晶Si为衬底，以超高真空磁控溅射仪为制备设备，快速退火炉为后期处理设备，磁控溅射温度为200‑550 ^OC，快速退火炉升温时间为70‑150s，退火温度为450‑700 ^OC，退火时间为300‑1200s，接触电阻率为0.05‑0.5Ω.cm²，电流‑电压特性曲线成线性关系。