[发明专利]具有D-π-A-π-D结构的氰基取代的二苯乙烯类衍生物作为双光子光限幅材料的应用在审
| 申请号： | 201610160617.9 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107219704A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 赵榆霞;杜娟;吴飞鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/361 | 分类号： | G02F1/361;C08F120/14;C08F118/00;C08F220/14;C08F2/44 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张文祎,赵晓丹 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有D‑π‑A‑π‑D结构的氰基取代的二苯乙烯类衍生物作为双光子光限幅材料的应用。此衍生物光热稳定性好，荧光量子产率较低，在近红外波段的纳秒、皮秒或飞秒激光照射下都具有明显双光子限幅特性，且双光子吸收截面可达1000～2200GM，在双光子光限幅领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 取代 苯乙烯 衍生物 作为 光子 限幅 材料 应用 | ||
【主权项】：
具有D‑π‑A‑π‑D结构的氰基取代的二苯乙烯类衍生物作为双光子光限幅材料的应用。
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，
，
，α＝γ＝90°，β＝110.119(2)°，z＝4，单胞体积为
。采用溶剂热反应法制备。该材料用于制备非线性光学器件。该非线性光学器件的入射电磁辐射的波长范围为1.4～40μm，该非线性光学器件能产生波长长至10μm的红外光输出。
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