[发明专利]一种去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法

摘要

本发明公开一种去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法，包括如下步骤清洗剂准备将草酸溶于去离子水中，配制成浓度为0.05～0.15mol/L的草酸清洗剂，并向带有药液循环系统的清洗槽中加入10～20L上述清洗剂，清洗剂保持循环；初步清洗；清洗剂清洗将装入锗晶片周转盒浸入备好清洗剂中，并沿锗晶片表面的平行方向摆动周转盒5～30S，后将周转盒在清洗剂中静置5～30S；后处理。通过引入草酸稀溶液来将残留次氯酸盐反应掉后再冲洗干净，解决了次氯酸盐药剂残留对锗片抛光面持续腐蚀造成的后续产品不良，大大降低了化学机械抛光后锗晶片表面药物残留概率，因药剂残留导致的报废/返工率由11.8％降低到了0.4％。

主权项

一种去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)清洗剂准备：将草酸溶于去离子水中，配制成浓度为0.05～0.15mol/L的草酸清洗剂，并向带有药液循环系统的清洗槽中加入10～20L上述清洗剂，清洗剂保持循环；(2)初步清洗：将抛光作业完成后的抛光盘取下，并对抛光盘内的锗晶片抛光面用去离子水冲洗，后用真空吸笔将锗晶片从抛光盘取出，并依次插入周转盒，并保证抛光面朝同一方向；(3)清洗剂清洗：将装入锗晶片的周转盒浸入步骤(1)备好的清洗槽内的清洗剂中，并沿锗晶片表面的平行方向摆动周转盒5～30S，后将周转盒在清洗剂中静置5～30S；(4)后处理：将周转盒从清洗槽中取出，顺时针倾斜5～50°，先对锗晶片的抛光表面用去离子水冲洗5～50S，再逆时针倾斜5～50°对锗晶片的未抛光表面用去离子水冲洗5～50S，冲洗完成后装入甩干机中甩干后流转到清洗钝化工序。