[发明专利]一种去除虚拟栅极介质层的方法

摘要

本发明提供一种去除虚拟栅极介质层的方法和制备金属栅极的方法，用第一等离子体去除位于半导体衬底表面的虚拟栅极介质层，露出半导体衬底，然后用第二等离子体去除半导体衬底表面的含氟化合物，虚拟栅极介质层的材料中含有Si和O，第一等离子体含有F，第二等离子体含有H₂，然后在位于侧墙包围范围内的半导体衬底的表面依次形成栅极介质层和金属栅极。本发明在使用含氟的等离子体去除虚拟栅极介质层后，用包含H₂的等离子体与半导体器件表面的含氟化合物反应，生成气态物质HF，该气态物质离开半导体器件，从而将氟元素带离半导体器件，因此也减少了半导体衬底上氟元素的含量，避免了氟元素对后续半导体器件中反型层以及整个栅极漏电流的影响。

主权项

一种去除虚拟栅极介质层的方法，其特征在于，使用第一等离子体去除位于半导体衬底表面的虚拟栅极介质层，露出所述半导体衬底，然后使用第二等离子体去除所述半导体衬底表面的含氟化合物，其中，所述虚拟栅极介质层的材料中含有Si和O，所述第一等离子体含有F，所述第二等离子体含有H₂。