[发明专利]一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构

摘要

本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相变存储器的数据保持力。掺杂注入区域的直径要小于加热电极的直径，中心区域的相变材料进行掺杂后结晶温度高于两侧未掺杂的相变材料，在小电流干扰时，此掺杂区域不易结晶，使相变存储器高阻态保持时间延长。而正常电操作SET时，结晶区域在相变材料层中加热电极的边缘，边缘区域结晶温度较低，因此本发明的相变材料层在中心区域掺杂后不会影响正常的电操作。

主权项

1.一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，其特征在于，所述相变材料层至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层，通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态在中心区域结晶，从而提高相变存储器的数据保持力，其中，所述相变材料层形成在所述相变存储器的加热电极表面，所述相变材料层的直径大于所述加热电极的直径，所述掺杂层的直径小于所述加热电极的直径。