[发明专利]一种获取DDRODT参数的方法和装置在审
| 申请号： | 201610135664.8 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107180653A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李东阳;陈之光 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 韩辉峰,李丹 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种获取双倍动态存储器(DDR)终结电阻(ODT)参数的方法和装置，包括通过扩展寄存器EMR将DDR ODT的第m个取值和列地址脉冲选通潜伏期CL的第n个取值设置到DDR中；将预设的数据写入DDR中，并从DDR中读取数据；判断出写入的数据和读取的数据相同，保存DDR ODT的第m个取值、CL的第n个取值和表示成功的信息之间的对应关系；继续执行通过EMR将DDR ODT的第m个取值和CL的第(n+1)个取值设置到DDR中的步骤；继续执行通过EMR将DDR ODT的第(m+1)个取值和CL的第1个取值设置到DDR中的步骤，直到所有DDR ODT和所有CL的取值完成；根据对应关系获取DDR ODT和CL的最优取值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获取 ddrodt 参数 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种获取双倍动态存储器DDR终结电阻ODT参数的方法，其特征在于，包括：通过扩展寄存器EMR将DDR ODT的第m个取值和列地址脉冲选通潜伏期CL的第n个取值设置到DDR中；其中，m为大于或等于1的整数，n为大于或等于1的整数；将预设的数据写入DDR中，并从DDR中读取数据；判断出写入的数据和读取的数据相同，保存DDR ODT的第m个取值、CL的第n个取值和表示成功的信息之间的对应关系；继续执行通过EMR将DDR ODT的第m个取值和CL的第(n+1)个取值设置到DDR中的步骤，直到所有CL的取值完成；继续执行通过EMR将DDR ODT的第(m+1)个取值和CL的第1个取值设置到DDR中的步骤，直到所有DDR ODT和所有CL的取值完成；根据对应关系获取DDR ODT和CL的最优取值。
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