[发明专利]输入输出接收电路有效
| 申请号： | 201610134366.7 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107181482B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 莫善岳;陈捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种输入输出接收电路，包括：接收端，适于耦接外部电压；第一NMOS管，源极耦接所述接收端，栅极耦接第一电源电压；整形电路，其输入端耦接所述第一电源电压和所述第一NMOS管的漏极，所述整形电路用于对所述第一NMOS管的漏极信号进行整形；补偿单元，适于对所述第一NMOS管的漏极信号进行补偿，使得所述第一NMOS管的漏极信号电压的最大值达到所述第一电源电压；其中，所述补偿单元包括第一PMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管。本发明的输入输出接收电路的性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 输入输出 接收 电路 | ||
【主权项】：
一种输入输出接收电路，其特征在于，包括：接收端，适于耦接外部电压；第一NMOS管，源极耦接所述接收端，栅极耦接第一电源电压；整形电路，其输入端耦接所述第一电源电压和所述第一NMOS管的漏极，所述整形电路用于对所述第一NMOS管的漏极信号进行整形；补偿单元，适于对所述第一NMOS管的漏极信号进行补偿，使得所述第一NMOS管的漏极信号电压的最大值达到所述第一电源电压；其中，所述补偿单元包括第一PMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管；所述第一PMOS管的源极耦接所述第一电源电压，所述第一PMOS管的栅极耦接所述接收端；所述第二NMOS管的漏极耦接所述第一PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极耦接所述第一NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极接地；所述第二PMOS管的源极耦接所述第一电源电压，所述第二PMOS管的栅极耦接所述第一PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极耦接所述第一NMOS管的漏极。
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