[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610106447.6 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105576144B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林兓兓;张家宏;蔡吉明;周瑜;韦静静;黄静 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 发光二极管，包括N型层、应力释放层、发光层、P型层，其特征在于所述发光层至少包括一具有量子效应的纳米颗粒层，所述纳米颗粒层的材料为半导体，当向N型层和P型层注入电流后，所述半导体材料的纳米颗粒层向外发射光线。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括N型层、应力释放层、发光层、P型层，其特征在于：所述发光层由具有量子效应的纳米颗粒层和提高所述纳米颗粒层发光强度的过渡层组成，或者由具有量子效应的纳米颗粒层和提高所述纳米颗粒层发光强度的过渡层以及位于所述应力释放层和所述过渡层之间的InGaX/GaX多量子阱层组成，所述X为主族Ⅴ族元素；所述纳米颗粒层的材料为半导体，当向N型层和P型层注入电流后，所述半导体材料的纳米颗粒层向外发射光线；所述过渡层材料为AlxInyGaN（0≤x≤1,0<y<1），所述过渡层具有发光功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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