[发明专利]原料熔融液液面与晶种下端的间隔测定方法、晶种的预热方法及单晶的制造方法有效
申请号: | 201610106091.6 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105926033B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 清水泰顺;高梨启一;中野清贵;齐藤正夫 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 童春媛;李炳爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 间隔测定方法,其为在使晶种的下端与坩埚内的原料熔融液接触而在所述晶种的下端培养单晶之前,测定所述原料熔融液的液面与配置于所述原料熔融液上方的晶种的下端的间隔的方法,其中,通过光学方法,获得实像下端点的位置信息和镜像点的位置信息,所述实像下端点是所述晶种下端的特定点,所述镜像点是映出于所述液面的所述晶种的镜像中与所述实像下端点对应的点;在所述实像下端点的位置与所述镜像点的位置一致的点,所述原料熔融液的液面与所述晶种的下端的间隔为0,从而求出所述原料熔融液的液面与所述晶种的下端的间隔。通过该方法,可在晶种与原料熔融液液面接触之前,准确地测定原料熔融液液面与晶种的间隔。 | ||
搜索关键词: | 原料 熔融 液面 下端 间隔 测定 方法 预热 制造 | ||
【主权项】:
1.间隔测定方法,其为在使晶种的下端与坩埚内的原料熔融液接触而在所述晶种的下端培养单晶之前,测定所述原料熔融液的液面与配置于所述原料熔融液上方的晶种的下端的间隔的方法,其中,通过光学方法,获得实像下端点的位置信息和镜像点的位置信息,所述实像下端点是所述晶种下端的特定点,所述镜像点是映出于所述液面的所述晶种的镜像中与所述实像下端点对应的点,在所述实像下端点的位置与所述镜像点的位置一致的点,所述原料熔融液的液面与所述晶种的下端的间隔为0,从而求出所述原料熔融液的液面与所述晶种的下端的间隔,所述晶种和所述坩埚内的所述原料熔融液的液面的至少一方有多个高度位置时,对各高度位置通过光学方法求出所述实像下端点的位置信息和所述镜像点的位置信息,基于以下位移量(a)和(b) ,求出所述原料熔融液的所述液面与所述晶种的下端的间隔:(a)以所述坩埚内的所述原料熔融液的液面高度位置为基准求出的所述晶种的高度位置的位移量,(b)与所述(a)的位移量对应发生变化的、以基于所述位置信息的所述晶种的所述镜像的位置为基准的所述实像的相对位置的位移量,以容纳所述原料熔融液的所述坩埚的高度位置为基准,所述晶种有多个高度位置时,对各高度位置拍摄所述晶种和所述液面,获得含有所述晶种的所述实像和所述镜像的图像,在所述图像上求出所述晶种的所述实像下端点的所述位置信息和所述镜像点的所述位置信息,由所述晶种的所述高度位置和所述实像下端点的位置的回归方程式即实像回归方程式、以及所述晶种的所述高度位置和所述镜像点的位置的回归方程式即镜像回归方程式,求出所述(a)的位移量和所述(b)的位移量的关系,求出所述间隔是指:所述晶种在任意的所述高度位置z时,将所述高度位置z代入所述实像回归方程式时的所述实像下端点的位置记为Preal,将所述高度位置z代入所述镜像回归方程式时的所述镜像点的位置记为Pmirror,以ΔLp=(Preal‑Pmirror)求出基于所述位置信息的所述实像下端点与所述镜像点的距离ΔLp,对所述实像回归方程式,以与基于所述位置信息的所述实像下端点的位移量ΔLp/2所对应的所述晶种的高度位置的位移量的形式,求出所述晶种在任意的所述高度位置z时的所述原料熔融液液面与所述晶种下端的间隔。
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