[发明专利]用于字线应用的钨有效
| 申请号： | 201610085046.7 | 申请日： | 2016-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN105870119B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·达内克;汉娜·班诺乐克;拉什纳·胡马雍;高举文 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于字线应用的钨，公开了用于在存储器器件中形成钨字线的方法和相关设备。本文还公开了用于沉积不含氟的钨(FFW)的方法和相关设备。根据多个实施方式，所述方法涉及使用氯化钨(WClx)前体和含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的还原剂沉积多组分钨膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上沉积钨的方法，所述方法包括：脉冲发送还原剂，其中所述还原剂是含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的；和脉冲发送氯化钨前体，其中所述氯化钨前体通过所述还原剂或其产物还原以在所述衬底上形成含有B、Si和Ge中的一种或更多种的多组分含钨膜，其中所述多组分含钨膜包含原子百分比为5％至60％之间的B、Si或Ge，并且其中原子百分比为5％至60％之间的B、Si或Ge由所述还原剂提供，其中在所述还原剂和氯化钨脉冲过程中所述衬底温度为至少500℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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