[发明专利]用于转移有用层的方法有效
| 申请号： | 201610076558.7 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105870048B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | D·朗德吕;O·科农丘克;N·本穆罕默德 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于转移有用层的方法，用于将有用层转移至承载体的方法包括下列步骤：通过将轻粒子注入到第一衬底中，形成脆化平面，从而在该平面与第一衬底的表面之间限定有用层的边界；将承载体安装到第一衬底的表面上，从而形成待断裂组件；沿着脆化平面对第一衬底进行热断裂处理，从而将有用层转移至支撑体上。根据本发明，该方法包括，在热断裂处理步骤期间的用于降低在承载体与第一衬底之间的界面处的外围附着度的加工步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转移 有用 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将有用层(3)转移至承载体(4)的方法，其包括下列步骤：‑通过将轻粒子注入到第一衬底(1)中形成脆化平面(2)，从而在该平面与第一衬底(1)的表面之间限定有用层(3)的边界；‑将承载体(4)安装到第一衬底(1)的表面上，从而形成待断裂组件(5)；‑沿着脆化平面(2)对第一衬底(1)进行热断裂处理，以便将有用层(3)转移至承载体(4)上；该方法的特征在于，其包括，在热断裂处理步骤期间的用于降低在承载体(4)与第一衬底(1)之间的界面处的外围附着度的加工步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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