[发明专利]一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜的光、热探测器有效
| 申请号： | 201610076294.5 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105552203B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 董国义;王莲;闫国英;王淑芳 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;G01J5/12 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 | 代理人： | 胡素梅,白海静 |
| 地址： | 071002 河北省保*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜的光、热探测器。该探测器包括横向热电元件，在所述横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极作为电压信号的输出端，所述金属电极通过电极引线将横向热电元件的电压信号输出端与电压表输入端相连接；所述横向热电元件包括c轴倾斜的氧化物单晶基片及生长在所述氧化物单晶基片上c轴倾斜的掺杂铋铜硒氧薄膜，所述金属电极设置在所述掺杂铋铜硒氧薄膜的上表面；所述掺杂铋铜硒氧薄膜的化学式为Bi1‑xMxCuSeO，其中，M为Pb、Ba、Sr、Ca或Mg，0＜x＜0.2。本发明与基于本征铋铜硒氧薄膜探测器相比，可大幅提升探测灵敏度并缩短响应时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 铋铜硒氧 薄膜 探测器 | ||
【主权项】：
一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜的光、热探测器，包括横向热电元件，在所述横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极作为电压信号的输出端，所述金属电极通过电极引线将横向热电元件的电压信号输出端与电压表输入端相连接；其特征是，所述横向热电元件包括c轴倾斜的氧化物单晶基片及生长在所述氧化物单晶基片上c轴倾斜的掺杂铋铜硒氧薄膜，所述金属电极设置在所述掺杂铋铜硒氧薄膜的上表面；所述掺杂铋铜硒氧薄膜的化学式为Bi1‑xMxCuSeO，其中，M为Pb、Ba、Sr、Ca或Mg，0＜x＜0.2。
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