[发明专利]静态随机存取存储器的制造方法与半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610072794.1 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105702568B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志;张长昀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/308;H01L21/3213;H01L21/336;G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静态随机存取存储器与半导体装置的制造方法,该静态随机存取存储器的制造方法包括提供一基板；于基板上,形成一第一虚拟图案；沿着第一虚拟图案的至少一侧壁,形成一第一间隙壁；移除第一虚拟图案；以及借由移除未被第一间隙壁覆盖的部分上述基板,形成静态随机存取存储器的一第一鳍状物。本发明的优点在于不受光刻工艺的固有限制的局限,而能够缩减结构的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供鳍状物；于所述鳍状物上方，形成栅极介电层和栅极电极层；于所述栅极电极层上方，形成第一虚拟图案；沿着所述第一虚拟图案的侧壁，形成第一间隙壁；移除所述第一虚拟图案，同时保留所述第一间隙壁；以及使用所述第一间隙壁作为光掩模，图案化所述栅极介电层和所述栅极电极层，其中，所述栅极介电层和所述栅极电极层是SRAM的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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