[发明专利]一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备在审
| 申请号： | 201610070644.7 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105609630A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 叶钊赫;叶建国;苗君 | 申请（专利权）人： | 唐山市众基钢结构有限公司;苗君 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 063100 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备，涉及磁存储技术领域。本发明提供的铁磁-反铁磁薄膜异质结构的铁磁层采用全哈斯勒合金，具有很高的有效自旋极化率，良好的半金属性，使得铁磁-反铁磁薄膜异质结构具有很好的交换偏置效应，而反铁磁层采用多铁性材料，不但具备各种单一的铁性，还具备在铁磁序和铁电序之间存在的耦合效应，表现出磁电耦合效应，因此，通过改变反铁磁层的厚度变化，来影响铁磁-反铁磁界面处的交换耦合作用，就可以获得整个异质结构的磁性变化，获得一个具有振荡形式的交换偏置效应，基于交换偏置效应的磁电子器件可应用于磁电阻读出磁头、磁传感器、磁随机存储器等磁存储领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反铁磁 薄膜 结构 制备 方法 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种铁磁‑反铁磁薄膜异质结构，包括层叠设置的反铁磁层(2)和铁磁层(3)，其特征在于：所述铁磁层(3)的材料为全哈斯勒合金；所述反铁磁层(2)的材料为多铁性材料。
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