[发明专利]一种单根磁致伸缩微管制备方法有效
| 申请号： | 201610062761.9 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105714257B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张克维;傅丽玲;房大庆 | 申请（专利权）人： | 太原科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 | 代理人： | 江淑兰 |
| 地址： | 030024 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种单根磁致伸缩微管的制备方法，属于传感器装置技术领域，其特征是由以下步骤依次进行（一）、快速溶解镁合金芯上磁控溅射磁致伸缩层；（二）、单根磁致伸缩管制备将前步（一）制得的表面溅射有磁致伸缩层的镁合金丝放入96℃、质量分数为4%的KCl溶液中，待快速溶解镁合金丝完全溶解，得到内径为0.1~10µm，壁厚为1~10µm单根磁致伸缩管。本发明无需切割直接成形微小的磁致伸缩单根管，避免对磁致伸缩管切割造成管腔堵塞，提高了磁致伸缩微管的尺寸精度的同时，灵敏度较同长度和同直径的实心线材高5.7倍，能更好地满足传感器灵敏度的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单根磁致 伸缩 微管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单根磁致伸缩微管制备方法，其特征是由以下步骤依次进行：（一）、快速溶解镁合金芯上磁控溅射磁致伸缩层1）、将快速溶解镁合金制成5~30mm长、直径为0 .1~10µm的丝；2）、将镁合金丝放置于磁控溅射仪腔体内的基座上，采用磁控溅射法，对镁合金丝表面溅射磁致伸缩薄膜，得到镁合金丝表面溅射有厚度为1~10µm厚的磁致伸缩薄膜；（二）、单根磁致伸缩管制备将前步（一）制得的表面溅射有磁致伸缩层的镁合金丝放入97℃、质量分数为4%的KCl溶液中，待快速溶解镁合金丝完全溶解，得到内径为0 .1~10µm，壁厚为1~10µm单根磁致伸缩管。
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