[发明专利]一种混合存储器连续读的方法有效

专利信息
申请号: 201610061365.4 申请日: 2016-01-28
公开(公告)号: CN105739925B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 景蔚亮;陈邦明 申请(专利权)人: 上海新储集成电路有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201500 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及计算机芯片读取优化领域,尤其涉及一种混合存储器连续读的方法。通过把经常连续读且很少写操作的数据保存在NAND混合存储器中的最后一级或几级的芯片或保存在新型混合存储器中的NAND存储器芯片中,而不占用单层单元型芯片或新型存储器芯片的存储空间,从而使单层单元型芯片或新型存储器芯片有更多的空间存放别的需要频繁随机读或者写的数据,提高NAND混合存储器和新型混合存储器的性能。
搜索关键词: 一种 混合 存储器 连续 方法
【主权项】:
1.一种混合存储器连续读的方法,其特征在于,所述混合存储器包括第一存储模块、第二存储模块和存储控制器,且所述第一存储模块的读/写特性优于所述第二存储模块的读/写特性,所述第二存储模块的存储容量大于所述第一存储模块的存储容量,所述方法包括:利用所述存储控制器统计所述第一存储模块中数据连续读写的使用频率;若存储在所述第一存储模块中的第一数据执行连续读操作频率大于预设值且写操作频率低于预设值,将所述第一存储模块中存储的第一数据存储至所述第二存储模块中;所述方法还包括:当第一存储模块储存已满时,将需要连续读而很少写的数据从读写性能优异的第一存储模块中存入第二存储模块从而在不影响读取数度的情况下充分利用第一存储模块性能,并且还可以将存储于第二存储模块的频繁写的数据存入第一存储模块;所述第一存储模块由单层单元型的NAND芯片和/或新型存储器芯片构成;所述第二存储模块由双层单元型NAND芯片和/或三层单元型NAND芯片和/或3D‑NAND芯片构成;所述的连续读操作是指连续地址的数据读取,包括存储器中一整页的数据读取至锁存器中。
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