[发明专利]一种异质结及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种异质结，包括由半导体材料组成的第一电极层和由磁性氧化物材料组成的第二势垒层，以及在所述第一电极层和所述第二势垒层的接触面之间夹设的2‑4nm厚的第一势垒层；所述第一势垒层为第一电极层中半导体材料的氧化物；所述第二势垒层的厚度为6‑10nm，所述第二势垒层上还引出有第二电极；所述第一电极层为n型掺杂Si层，所述第一势垒层为SiO2‑v层，所述第二势垒层为CoFe2O4‑w层，其中，0.1<v<0.5，0.1<w<0.5。本发明实施例提供的异质结中，通过调节氧离子的运动，便可在异质结中同时实现电致电阻效应与磁电阻效应，在电场和磁场的调控下，异质结可处于多重电阻状态，从而进一步增加异质结在多态存储以及模拟神经网络等诸多领域的发展前景。

主权项

一种异质结，其特征在于，包括由半导体材料组成的第一电极层(1)和由磁性氧化物材料组成的第二势垒层(3)，以及在所述第一电极层(1)和所述第二势垒层(3)的接触面之间夹设的2‑4nm厚的第一势垒层(2)；所述第一势垒层(2)为所述第一电极层(1)中半导体材料的氧化物；所述第二势垒层(3)的厚度为6‑10nm，所述第二势垒层(3)上还引出有第二电极(4)；所述第一电极层(1)为n型掺杂Si层，所述第一势垒层(2)为SiO2‑v层，所述第二势垒层(3)为CoFe2O4‑w层，其中，0.1<v<0.5，0.1<w<0.5。