[发明专利]一种后道互连空气隙的制备方法有效
申请号: | 201610055153.5 | 申请日: | 2016-01-27 |
公开(公告)号: | CN105514031B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 郭奥;周伟 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种后道互连空气隙的制备方法,通过增加一层空气隙掩膜版,并利用在上、下层金属之间引入牺牲层,实现在上、下层金属交叠区域之间形成空气隙结构,所制备的空气隙结构的尺寸可通过空气隙图形的设计尺寸和牺牲层的淀积厚度进行调节和优化,具有很高的工艺灵活性;本发明可有效降低后道互连工艺中上、下层金属间的寄生耦合电容,极大地弥补了现有技术中只在同层金属间制备空气隙的不足,具有非常重要的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 互连 空气 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种后道互连空气隙的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01:提供一衬底,所述衬底上形成有下层金属线条及其刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上淀积一层牺牲层;步骤S02:对牺牲层进行图形化,保留下层金属线条上方与上层金属线条交叠区域的部分牺牲层图形,并使牺牲层图形尺寸大于交叠区域尺寸;步骤S03:淀积Low‑k介质层,并进行平坦化;步骤S04:形成金属通孔,以及与下层金属线条交叠的上层金属线条;步骤S05:对Low‑k介质层进行图形化,去除牺牲层图形上方的部分Low‑k介质层图形,在上层金属线条的侧面形成沟槽结构;步骤S06:通过沟槽结构形成的开口去除牺牲层,在上、下层金属线条交叠区域之间形成空气隙结构;步骤S07:淀积上层金属线条的刻蚀阻挡层,形成封闭的空气隙结构。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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