[发明专利]一种利用粒子束调控技术制备多孔掺杂类金刚石薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201610037867.3 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN105779965B 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 张旭;周晗;吴先映;廖斌;英敏菊 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100875 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种利用粒子束调控技术制备掺杂多孔类金刚石(DLC)薄膜的方法,属于无机纳米材料领域。该发明利用磁过滤阴极弧沉积装置,以镍源为阴极,以含碳气体为前驱气体,在一定的粒子束参数条件下沉积碳基镍纳米复合薄膜,其结构为镍金属颗粒分散在周围的非晶碳相中,仅有少量的镍原子掺杂在非晶碳相中。将制备好的薄膜材料用化学溶液腐蚀,去除薄膜中的镍金属相而保留非晶碳相和其中掺杂的镍原子,用去离子水冲洗后即可得到掺杂多孔DLC薄膜。通过对实验中的粒子束参数进行控制,即实现孔隙直径、孔隙密度、薄膜中SP3键相对含量以及掺杂量均可调控的掺杂多孔DLC薄膜材料。该方法操作简单,制备周期短并可实现掺杂多孔DLC薄膜材料的大批量生产。
搜索关键词: 一种 利用 粒子束 调控 技术 制备 多孔 掺杂 金刚石 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种利用粒子束调控技术制备多孔掺杂DLC薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1、利用磁过滤阴极弧沉积装置以镍为阴极弧源,以含碳气体为前驱气体,在一定的参数条件和真空度下,以单晶硅为衬底制备包含面心立方的金属镍晶粒的Ni/DLC纳米复合薄膜;步骤2、用盐酸或者硝酸溶液腐蚀Ni/DLC纳米复合薄膜,控制腐蚀时间,得到所述的多孔掺杂DLC薄膜。
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