[发明专利]一种制备竹节状SiC纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种制备竹节状SiC纳米线的方法，将打磨抛光烘干后的块状石墨材料置于沉积炉中，低压1kPa下通电升温至预定温度后，向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温，即可得到大量高纯竹节状SiC纳米线。本发明制备工艺简单，不需要预先合成工艺；沉积温度较低，降低了能耗和制备成本；制备的竹节状SiC纳米线纯度较高；可通过工艺参数的调节实现竹节状SiC纳米线的可控生长，易于实现工业生产；解决了现有技术中竹节状SiC纳米线制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。

主权项

一种制备竹节状SiC纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将石墨基体试样打磨抛光后用蒸馏水洗涤干净，再置于烘箱中烘干后取出备用；步骤二、用一束碳纤维将处理过的石墨基体试样捆绑后，悬挂于立式气相沉积炉中；步骤三、将立式气相沉积炉抽真空至1kPa保持真空30分钟，确定炉体不漏气后，再打开真空泵持续抽真空，保持炉内压力为1kPa；步骤四、通电升温，升温过程中通入氩气保护，当炉温升到预定的沉积温度1200℃～1300℃后，在装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，再将甲基三氯硅烷带入炉内，同时通入稀释氩气、稀释氢气；并调节稀释氩气、稀释氢气和载气氢气的流量分别为100～400sccm、1000～2000sccm和20～80sccm，在预定的沉积温度1200℃～1300℃下沉积30分钟～120分钟后，关闭稀释氢气、载气氢气和甲基三氯硅烷；同时断电降温，使炉内自然冷却至室温，降温过程中依然保持炉内压力1kPa，且在降温过程中持续通入氩气保护；升温和降温的过程中通入的氩气流量为100sccm。