[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先在基板上制作像素电极、数据线和源/漏极，然后再制作沟道保护层和氧化物半导体层；或者首先在基板上制作一层缓冲层，避免氧化物半导体层跟基板直接接触影响TFT特性，然后在源/漏极制作完成后直接制作氧化物半导体层，省去一层蚀刻阻挡层，从而可避免制作源/漏极的蚀刻制程对氧化物半导体层造成的损伤；并通过在制作公共电极的同时制作覆盖于栅极表面的保护层，以保护栅极不被腐蚀，进而可省去一层绝缘保护层的制作；从而有效简化了制程，提高了TFT基板的信赖性。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，形成像素电极(2)；步骤2、在所述基板(1)、像素电极(2)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成源/漏极(3)、数据线(31)，所述数据线(31)具有形成于基板(1)的周边区域的数据线端子(312)；步骤3、在所述基板(1)、像素电极(2)、源/漏极(3)、数据线(31)上沉积沟道保护层(4)；在所述沟道保护层(4)上对应所述源/漏极(3)上方形成第一过孔(41)；步骤4、在所述沟道保护层(4)、源/漏极(3)上沉积氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成有源层(5)；所述有源层(5)经由所述第一过孔(41)与所述源/漏极(3)相接触；步骤5、在所述沟道保护层(4)、有源层(5)上沉积栅极绝缘层(6)；步骤6、在所述栅极绝缘层(6)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，形成栅极(7)、及栅极扫描线(71)，所述栅极扫描线(71)具有形成于基板(1)的周边区域的扫描线端子(712)；在所述沟道保护层(4)、及栅极绝缘层(6)上对应所述数据线端子(312)上方形成第二过孔(8)；步骤7、在所述栅极绝缘层(6)、栅极(7)、及栅极扫描线(71)上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，形成公共电极(9)、分别覆盖于栅极(7)与栅极扫描线(71)上方的保护层(91)、以及经由所述第二过孔(8)与所述数据线端子(312)相接触的连接导线(92)。