[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤。于基板上依序形成栅极、第一绝缘层、半导体层以及第一光阻图案。以第一光阻图案为罩幕，将半导体层图案化成通道层，并随后缩小第一光阻图案而在通道层上留下第一光阻图案的一保留部分。形成导电材料层以覆盖保留部分、通道层以及第一绝缘层。以第二光阻图案为罩幕，图案化导电材料层以形成源极和漏极。执行剥除步骤来移除第二光阻图案和第一光阻图案的保留部分，以暴露源极和漏极之间的通道层。因此，薄膜晶体管中的通道层不会被用来形成源极和漏极的图案化步骤损害，可以用来制造具有理想元件特性的薄膜晶体管。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上依序形成一栅极、一绝缘层、一半导体层、以及一第一光阻图案，所述绝缘层与所述半导体层覆盖所述栅极，且所述第一光阻图案配置于所述半导体层上并位于所述栅极上方；以所述第一光阻图案为罩幕，将所述半导体层图案化成一通道层，并随后缩小所述第一光阻图案，而在所述通道层上留下所述第一光阻图案的一保留部分；于所述基板上形成一导电材料层，所述导电材料层覆盖所述第一光阻图案的所述保留部分、所述通道层以及所述绝缘层；以一第二光阻图案为罩幕，将所述导电材料层图案化成一源极以及一漏极，所述源极与所述漏极以一间隙区分隔开，且所述间隙区暴露出所述第一光阻图案的所述保留部分；以及进行一剥除步骤，移除所述第二光阻图案以及所述第一光阻图案的所述保留部分以暴露出所述源极与所述漏极间的所述通道层。