[发明专利]一种压电薄膜传感器、压电薄膜传感器电路及制作方法在审
| 申请号： | 201610003669.5 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN105655480A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/39 | 分类号： | H01L41/39;H01L41/113;H01L41/187;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压电薄膜传感器、压电薄膜传感器电路及制作方法。该压电薄膜传感器的制作方法包括：在基板上形成压电薄膜的步骤，以及采用激光退火工艺对所述压电薄膜进行激光退火，完成所述压电薄膜的成相转变的步骤。由于激光退火工艺可将退火温度控制在300℃～400℃，因此该制作工艺在保证压电薄膜的良好性能的同时，可应用于柔性压电薄膜传感器的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 薄膜 传感器 电路 制作方法 | ||
【主权项】：
一种压电薄膜传感器的制作方法，包括在基板上形成压电薄膜的步骤，其特征在于，还包括：采用激光退火工艺对所述压电薄膜进行激光退火，完成所述压电薄膜的成相转变的步骤。
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