[发明专利]一种压电薄膜传感器、压电薄膜传感器电路及制作方法

权利要求书

1.一种压电薄膜传感器的制作方法，包括在基板上形成压电薄膜的步骤， 其特征在于，还包括：采用激光退火工艺对所述压电薄膜进行激光退火，完成 所述压电薄膜的成相转变的步骤。

2.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器的制作方法，其特征在于，采 用激光退火工艺对所述压电薄膜进行激光退火时，退火温度为300℃～400℃。

3.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器的制作方法，其特征在于，采 用激光退火工艺对所述压电薄膜进行激光退火时，采用的激光的波长为 10.6μm，激光功率密度为490W/cm²，退火时长为25秒。

4.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器的制作方法，其特征在于，采 用CO₂激光器或YAG激光器产生激光退火工艺所用激光。

5.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器的制作方法，其特征在于，所 述压电薄膜采用锆钛酸铅或锆钛酸钡材料形成。

6.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器的制作方法，其特征在于，形 成的所述压电薄膜的厚度范围为0.5～1.5μm。

7.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器的制作方法，其特征在于，还 包括：

形成所述压电薄膜传感器的上电极和下电极的步骤。

8.根据权利要求1-7任一项所述的压电薄膜传感器的制作方法，其特征在 于，所述基板为柔性衬底基板。

9.一种压电薄膜传感器电路的制作方法，其特征在于，包括形成压电薄 膜传感器的步骤；以及形成与所述压电薄膜传感器连接的薄膜晶体管的步骤， 其中，所述压电薄膜传感器采用如权利要求1-8任一项所述的方法形成。

10.根据权利要求9所述的压电薄膜传感器电路的制作方法，其特征在于， 具体包括：

在刚性衬底基板上形成柔性衬底基板；

在所述柔性衬底基板上形成所述薄膜晶体管的栅电极的图形；

形成栅绝缘层；

形成所述压电薄膜传感器的下电极的图形；

形成压电薄膜，采用激光退火工艺对所述压电薄膜进行激光退火，完成所 述压电薄膜的成相转变，并采用光刻工艺对激光退火后的压电薄膜进行构图， 形成压电薄膜的图形；

形成所述薄膜晶体管的有源层的图形；

形成绝缘层的图形；

形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形，其中，所述源电极和漏电 极与所述有源层连接，且所述源电极或漏电极与所述压电薄膜传感器的下电极 连接；

形成所述压电薄膜传感器的上电极的图形；

将形成有所述薄膜晶体管和所述压电薄膜传感器的柔性衬底基板从所述 刚性衬底基板上剥离。

11.一种压电薄膜传感器，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述 方法制作而成。

12.一种压电薄膜传感器电路，其特征在于，采用如权利要求9或10所 述的方法制作而成。

13.根据权利要求12所述的压电薄膜传感器电路，其特征在于，具体包 括：

柔性衬底基板；

薄膜晶体管的栅电极；

栅绝缘层；

压电薄膜传感器的下电极；

压电薄膜传感器的压电薄膜；

薄膜晶体管的有源层；

绝缘层；

薄膜晶体管的源电极和漏电极，其中，所述源电极和漏电极与所述有源层 连接，且所述源电极或漏电极与所述下电极连接；

压电薄膜传感器的上电极。

14.根据权利要求13所述的压电薄膜传感器电路，其特征在于，所述有 源层使用聚3-己基噻吩材料或单壁碳纳米管材料制成。

15.根据权利要求13所述的压电薄膜传感器电路，其特征在于，所述绝 缘层采用聚对二甲苯材料制成。