[发明专利]低阻抗VCSEL有效
申请号: | 201580083277.8 | 申请日: | 2015-08-10 |
公开(公告)号: | CN108028512B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 沙吉·马塔伊;迈克尔·瑞恩·泰·谭;韦恩·维克托·瑟林 | 申请(专利权)人: | 慧与发展有限责任合伙企业 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
代理公司: | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人: | 张涛;吴丽丽 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在垂直腔面发射激光器(VCSEL)的示例性实施方案中,VCSEL包括p型分布式布拉格反射器(p‑DBR)层和与p‑DBR层相邻的p型欧姆(p‑欧姆)接触层。p‑DBR层可以包括氧化物孔,p‑欧姆接触层可以具有与氧化物孔对齐的开口。可以用介电材料填充开口。金属层可以耦连到p‑欧姆接触层并封装介电材料。 | ||
搜索关键词: | 阻抗 vcsel | ||
【主权项】:
1.一种垂直腔面发射激光器(VCSEL),包括:p型分布式布拉格反射器(p-DBR)层,其中所述p-DBR层包括氧化物孔;与所述p-DBR层相邻的p型欧姆(p-欧姆)接触层,其中所述p-欧姆接触层具有与所述氧化物孔对齐的开口;填充所述开口的介电材料;和封装所述介电材料的金属层,其中所述金属层耦连到所述p-欧姆接触层。
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